特許
J-GLOBAL ID：200903040551005078
マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223675
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078807
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 電子線リソグラフィ、X線リソグラフィやSTMリソグラフィのように大がかりな装置を用いることなく、極めて簡単なプロセスにより10nm以下程度までの微細なパターンの作製を可能とする。【構成】 被エッチング材料10上の所望の位置に形成された金属薄膜15が加熱により微粒子化された構成とする。
請求項（抜粋）：
被エッチング材料上の所望の位置に形成された金属薄膜が加熱により微粒子化されて構成されることを特徴とするマスク。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/20
