特許

J-GLOBAL ID：200903040551958555

導電パターン材料の作製方法、及び導電パターン材料

発明者： 加納 丈嘉 ,  植木 志貴
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-089248
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251711
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】基板に対する密着性が高く、十分な導電性を有する導電パターンを備え、該導電パターンの存在しない領域における耐マイグレーションに優れた導電パターン材料、及び該導電パターン材料の作製方法を提供すること。【解決手段】(a1)基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、カルボン酸基を有するポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、(a2)前記カルボン酸基に無電解めっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、(a3)少なくとも無電解めっきを行い、めっき膜を形成する工程と、(a4)該めっき膜をパターン状にエッチングする工程と、(a5)前記(a4)工程によりめっき膜が除去された領域に存在する前記ポリマー層中のカルボン酸基をアンモニウム塩化した後、熱分解させる工程と、をこの順に有することを特徴とする導電パターン材料の作製方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(a1)基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、カルボン酸基を有するポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、 (a2)前記カルボン酸基に無電解めっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、 (a3)少なくとも無電解めっきを行い、めっき膜を形成する工程と、 (a4)該めっき膜をパターン状にエッチングする工程と、 (a5)前記(a4)工程によりめっき膜が除去された領域に存在する前記ポリマー層中のカルボン酸基をアンモニウム塩化した後、熱分解させる工程と、 をこの順に有することを特徴とする導電パターン材料の作製方法。

IPC (3件)：

H05K 3/06 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38

FI (3件)：

H05K3/06 B ,  H05K3/18 A ,  H05K3/38 E

Fターム (44件)：

5E339AB02 ,  5E339AD01 ,  5E339BC02 ,  5E339BD03 ,  5E339BD08 ,  5E339BE13 ,  5E339CC01 ,  5E339CC02 ,  5E339CD01 ,  5E339CE11 ,  5E339CE16 ,  5E339CE19 ,  5E339CF16 ,  5E339CF17 ,  5E339CG04 ,  5E339GG01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA18 ,  5E343BB05 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB34 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343CC03 ,  5E343CC33 ,  5E343CC62 ,  5E343CC72 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343EE02 ,  5E343EE13 ,  5E343EE22 ,  5E343EE34 ,  5E343ER02 ,  5E343ER12 ,  5E343ER16 ,  5E343ER18 ,  5E343ER26 ,  5E343ER43 ,  5E343GG02