特許
J-GLOBAL ID：200903040552580866
伝導度変調型トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267197
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188423
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】消費電力を低減させた伝導度変調型トランジスタを提供する。【構成】N型の第1ドリフト領域103へ達する溝125の底面に設けられたP+型の注入領域127へ所定の電圧を印加すると、ホールが第1ドリフト領域103へ注入され伝導度が変調される。ホールは、電子との再結合によってその数を減らしながらポテンシャルバリア領域105ヘ向かう。ポテンシャルバリア領域105に達したホールは、ポテンシャルバリア領域105に存在するポテンシャルバリアに阻まれて第2ドリフト領域107へは進めない。第1ドリフト領域103にホールを注入するP型領域を電流の通路外に設けたので、PN接合による電圧降下がなく消費電力が低減される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体領域と、該第1半導体領域の一方面上に形成され該第1半導体領域より禁制帯幅の広い第1導電型の半導体部材よりなるポテンシャルバリア領域と、該ポテンシャルバリア領域の表面上に形成された第1導電型のドレイン領域と、該ドレイン領域の表面より該領域内に形成された第2導電型のウエル領域と、該ウエル領域の表面より該領域内に形成された第1導電型のソース領域と、少なくとも該ソース領域と前記ドレイン領域とに挟まれた前記ウエル領域の表面上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域に電気的に接続されたソース電極と、前記第1半導体領域の他方面上に電気的に接続されたドレイン電極と、前記ドレイン領域表面から前記第1半導体領域に達するように形成された溝と、該溝の底面と接している前記第1半導体領域の表面より該領域内に形成された第2導電型の注入領域と、該注入領域に電気的に接続されかつ前記ポテンシャルバリア領域及び前記ドレイン領域とは電気的に絶縁された注入電極とからなることを特徴とする伝導度変調型トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 X
