特許

J-GLOBAL ID：200903040552645593

半導体装置の製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  船井 尚 ,  渋谷 司 ,  田仲 広久
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002841
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209012
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 工程数を増やすことなく非単結晶シリコン半導体層中に存在する欠陥を効率よくに減少させて、高性能な半導体装置を得る。【構成】 p-Siからなる半導体層103上に、水素を含む窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜104を形成する。これを熱処理してゲート絶縁膜104中の水素を半導体層103中に拡散する。このことにより、半導体層103中に存在するダングリングボンドなどの欠陥を効率よく減少させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体層と接して、単層または2層以上の複数層からなる絶縁膜が形成された半導体装置の製造方法であって、絶縁性基板上に非単結晶シリコンからなる半導体層を形成する工程と、該半導体層の上に、該単層が、または該複数層のうち少なくとも該半導体層と接する層が、水素を含む窒化シリコンからなる絶縁膜を形成する工程と、少なくとも半導体層および絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を施して、絶縁膜中に含まれる該水素を半導体層中に拡散させる工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/225