特許

J-GLOBAL ID：200903040557690430

バイアス回路

発明者： 深井 功 ,  杉山 寿男 ,  冨塚 淑人
出願人/特許権者： 東光株式会社
代理人 (1件)： 大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364988
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168934
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 高周波回路の特性を改善でき、また供給電圧の低電圧化が可能なバイアス回路を提供することを目的とする。【解決手段】 電圧源VBとトランジスタQAのベースとの間にインダクタンスLTを接続し、インダクタンスLTのトランジスタQA側の一端とグランドとの間にコンデンサCTを接続する。そして、配線端子2とグランドとの間に等価的に存在する浮遊容量CSとコンデンサCTの合成静電容量値とインダクタンスLTのインダクタンス値から導かれる同調周波数が、高周波信号Siの信号周波数fiとほぼ等しくなるようにする。浮遊容量CSが同調回路の一部を構成することで漏れ電流iLが流れ難くなり、高周波信号Siに対する浮遊容量の影響を大幅に排除できるようになる。

請求項（抜粋）：

高周波信号が入力される能動素子に所定のバイアスを供給するためのバイアス回路であって、電圧源と、該電圧源と該能動素子の該高周波信号の入力端子との間に接続されたインダクタンス素子と、該インダクタンス素子の該能動素子側の一端とグランドとの間に接続されたコンデンサとを有し、ここで、該能動素子の入力端子とグランドとの間に出現する浮遊容量と該コンデンサとの合成静電容量値と該インダクタンス素子のインダクタンス値から導かれる同調周波数がほぼ該高周波信号の周波数に等しい同調回路と、を具備することを特徴とするバイアス回路。

Fターム (30件)：

5J092AA01 ,  5J092AA58 ,  5J092CA35 ,  5J092CA37 ,  5J092CA41 ,  5J092FA20 ,  5J092HA02 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA32 ,  5J092HA33 ,  5J092KA12 ,  5J092KA14 ,  5J092SA13 ,  5J092VL08 ,  5J500AA01 ,  5J500AA58 ,  5J500AC35 ,  5J500AC37 ,  5J500AC41 ,  5J500AF20 ,  5J500AH02 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH32 ,  5J500AH33 ,  5J500AK12 ,  5J500AK14 ,  5J500AS13 ,  5J500LV08