特許

J-GLOBAL ID：200903040569343744

磁気抵抗材料を用いた機器およびその製造方法

発明者： サンゴー ジン ,  マーク トーマス マクコーマック ,  ラマモーシー ラメッシュ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308464
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193298
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 室温に近い温度での磁気抵抗率が大きな材料を得る。【構成】 公称組成がXMnOyであって磁気抵抗を呈する材料の膜61を有する機器において、Xは、Laと、Ca,Sr,Baのうちの少なくとも一つとする。膜材料の磁気抵抗率の絶対値は200%以上となる。ただし、磁気抵抗率は、(R(H)-R0)/R(H)で定義される。R(H)は、かけられた磁場の大きさHが6テスラのときの膜の抵抗、R0は磁場がないときの膜の抵抗である。さらに、膜は基板60の上に配置され、しかもその基板とエピタキシャルで、2≦y≦3.5であり、磁気抵抗率は1000%以上である。また、この膜の製造工程の中に、酸素を含む雰囲気中での熱処理工程を含む。

請求項（抜粋）：

Xが、Laと、Ca,Sr,Baのうちの少なくとも一つであるときに、公称組成がXMnOyであって磁気抵抗を呈する材料の膜(61)を有する機器において、かけられた磁場の大きさHが6テスラのときの膜の抵抗をR(H)とし、磁場がないときの膜の抵抗をR0とするときに、前記膜の材料の(R(H)-R0)/R(H)で定義される磁気抵抗率の絶対値が200%以上であって、上記yは、その膜に前記磁気抵抗率を与えるものが選択されることを特徴とする、磁気抵抗材料を用いた機器。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/12