特許
J-GLOBAL ID：200903040569464720
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080431
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277766
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 水素による透光性導電膜の還元が抑制され、しかも、透光性導電膜と半導体層(ドープ層)との良好な電気的接合が得られて、特性の向上を図れる光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 透光性導電膜(SnO2 )2とp型a-SiC:H層4との間に、水素量が5at%以下であって欠陥を多く含むSiを主成分とする非晶質膜(a-Si膜)3(厚さ:50Å程度)を設ける。p型a-SiC:H層4及びびi型a-Si:H層5の形成時に、水素が非晶質膜(a-Si膜)3でトラップされて透光性導電膜(SnO2 )2に侵入しない。非晶質膜(a-Si膜)3は、Arガスを用いたスパッタ法にて形成する。
請求項（抜粋）：
透光性導電膜と、該透光性導電膜上に形成された水素を含む半導体層とを有する光起電力素子において、前記透光性導電膜と前記半導体層との間に、水素量が5at%以下であるシリコンを主成分とした非晶質膜を有することを特徴とする光起電力素子。
Fターム (10件)：
5F051AA05
, 5F051AA16
, 5F051CA13
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051FA19
, 5F051GA03
