特許

J-GLOBAL ID：200903040570445216

SiC質焼結体およびその焼成方法

発明者： 半澤 茂 ,  古宮山 常夫
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064608
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270917
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】【構成】 SiCとSiを少なくとも構成成分として含み、曲げ強度が15kg/mm2以上、気孔率が1.0%以下で、かつ中心部と表層部の気孔率の差が20%以内であり、中心部と表層部の曲げ強度差が20%以内であるSiC質焼結体。SiC粉体、黒鉛粉、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を含有した成形用原料を用い、これを成形した後、得られる成形体を立設して焼成するに当り、金属シリコン雰囲気でかつ減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において、1350〜2500°Cで焼成するSiC質焼結体の焼成方法。【効果】 反り、切れがなく、中心部に巣がない耐酸化性および耐スポーリング性に優れたSiC質焼結体が得られる。このSiC質焼結体は、耐酸化性、耐スポーリング性を重視する迅速焼成炉用棚板、匣鉢、サヤなどの窯道具に好ましく用いることができる。

請求項（抜粋）：

SiCとSiを少なくとも構成成分として含むSiC質焼結体であって、曲げ強度が15kg/mm2以上、気孔率が1.0%以下で、かつ中心部と表層部の気孔率の差が20%以内であり、中心部と表層部の曲げ強度差が20%以内であり、耐酸化性および耐スポーリング性に優れたことを特徴とするSiC質焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/56 101 ,  C04B 35/64

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-166263
  
• 特開昭63-201062
  
• 特開平1-257166
  
• 特開平2-153864