特許
J-GLOBAL ID：200903040583323039
薄膜コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040820
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243075
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 薄膜コンデンサの絶縁基板として表面粗さの小さい、平滑な絶縁基板を活用できる製造方法を開発し小形化、軽量化、低コスト化を図った高品質の薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 板状のセラミック1上にガラスグレ-ズ2を塗布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置のガラスグレ-ズ2を切断刃により取り除いた後、薄膜コンデンサ素子部4を形成し、その後チップブレイクするためのブレイク用溝3をレ-ザ-ビ-ムを照射して形成する。
請求項（抜粋）：
板状のセラミック上にガラスグレ-ズを塗布焼付して成る絶縁基板を、チップブレイクする位置のガラスグレ-ズを切断刃により取り除いた後、前記絶縁基板上に複数のコンデンサ素子を、誘電体層と内部電極層を交互に薄膜形成工法により積層して形成し、その後チップブレイクするためのブレイク用溝をレ-ザ-ビ-ムにより照射して形成する薄膜コンデンサの製造方法。
IPC (2件)：
H01G 4/06 102
, H01G 13/00 391
