特許

J-GLOBAL ID：200903040584822519

低温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおけるポリシリコン膜の形成方法

発明者： 石川 克也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001949
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204794
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 グレインサイズの均一化を図ることができるポリシリコン膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1の酸化膜2の上に水素含有アモルファスSi膜3を堆積し、脱水素処理のための熱処理を行い、エキシマレーザを照射してアニール処理を行いアモルファスSi膜をポリシリコン膜7に変化させ、ポリシリコン膜7にSiイオン注入により表面層をアモルファスSi化し、前記アニール処理より低パワーのエキシマレーザを照射して再度のアニール処理を行ってポリシリコン膜8を完成する。

請求項（抜粋）：

加工後に低温ポリシリコンTFTのソースとドレインおよびチャンネル部となるポリシリコン膜を形成するに際し、基板に酸化膜を堆積し、前記酸化膜の上に水素含有アモルファスSi膜を堆積し、その後に脱水素処理のための熱処理を行った前記基板をエキシマレーザを照射してアニール処理を行い前記アモルファスSi膜をポリシリコン膜に変化させ、前記ポリシリコン膜にSiイオン注入により表面層をアモルファスSi化し、前記アニール処理より低パワーのエキシマレーザを照射して再度のアニール処理を行ってポリシリコン膜を完成する低温ポリシリコンTFTの製造プロセスにおけるポリシリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 Z