特許

J-GLOBAL ID：200903040588834600

単層カーボンナノチューブの製造方法および製造装置

発明者： 丸山 茂夫 ,  千足 昇平
出願人/特許権者： 株式会社物産ナノテク研究所
代理人 (3件)： 藤本 英介 ,  神田 正義 ,  宮尾 明茂
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003017056
公開番号（公開出願番号）：WO2004-060800
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

500Torr以下の希ガス雰囲気で、50〜600°Cの反応炉内予備加熱炉に、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を、不活性ガスにより加圧して細孔ノズルより噴射し、予備加熱され気化した有機溶媒と有機金属化合物混合ガスが、この予備加熱炉に隣接した、500Torr以下の希ガス雰囲気で550〜1000°Cに熱せられた主加熱炉内に供給され、有機金属化合物が熱分解されて金属微粒子を生じ、これを触媒として有機溶媒が熱分解されて炭素原子を生じ、主加熱炉の下流側に設けた成長部でグラフェンシートの成長が行われ、単層カーボンナノチューブが生成する。有機金属化合物としてはフェロセン、鉄カルボニール、有機溶媒としてはアルコール類、エーテル類が使用できる。

請求項（抜粋）：

気相合成法によって単層カーボンナノチューブを合成する方法であって、希ガス雰囲気の炉内に有機溶媒に有機金属化合物を溶解した溶液を噴霧するステップと、 噴霧した溶液を加熱することによって前記有機金属化合物および有機溶媒をそれぞれ気化するステップと、 気化した有機金属化合物を加熱分解して金属を得るとともに、気化した有機溶媒を前記金属を分解触媒として加熱分解して炭素原子を得るステップと、 得られた炭素原子を用いてグラフェンシートを成長させるステップ とを有することを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 ,  B01J 37/08 ,  B01J 23/745

FI (3件)：

C01B31/02 101F ,  B01J37/08 ,  B01J23/74 301M

Fターム (59件)：

4G069AA02 ,  4G069AA08 ,  4G069AA09 ,  4G069BA21C ,  4G069BA27C ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069BE04C ,  4G069BE06C ,  4G069BE37C ,  4G069CB81 ,  4G069DA01 ,  4G069DA02 ,  4G069FA01 ,  4G069FB34 ,  4G069FB77 ,  4G069FB80 ,  4G069FC02 ,  4G069FC07 ,  4G069FC08 ,  4G069FC10 ,  4G146AA12 ,  4G146AC16B ,  4G146BA11 ,  4G146BC08 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146DA03 ,  4G146DA12 ,  4G146DA26 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA21C ,  4G169BA27C ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BE04C ,  4G169BE06C ,  4G169BE37C ,  4G169CB81 ,  4G169DA01 ,  4G169DA02 ,  4G169FA01 ,  4G169FB34 ,  4G169FB77 ,  4G169FB80 ,  4G169FC02 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169FC10