特許
J-GLOBAL ID：200903040590466511
オーミック電極の製造方法及び半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273904
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106350
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、良好なオーミック電極の製造方法及び良好なオーミック電極をもつ半導体素子の製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 半導体1上に電極用膜2を形成した後、熱処理するオーミック電極の製造方法であって、前記半導体1の前記電極用膜2側の界面領域3に該半導体1のうちの所定の構成元素を供給した後、前記熱処理をする。
請求項（抜粋）：
半導体上に電極用膜を形成した後、熱処理するオーミック電極の製造方法であって、前記半導体の前記電極用膜側の界面領域に該半導体のうちの所定の構成元素を供給した後、前記熱処理をすることを特徴とするオーミック電極の製造方法。
Fターム (13件)：
4M104AA03
, 4M104BB09
, 4M104BB21
, 4M104CC01
, 4M104DD22
, 4M104DD23
, 4M104DD34
, 4M104DD78
, 4M104DD82
, 4M104DD84
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104HH15
