位相シフトマスクを用いた露光装置およびパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-184876
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032156
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】微細で密集したコンタクトホールパターンを形成するための位相シフトマスクを用いた露光装置とそのパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光光56を第1および第2露光光に分光し、それぞれ第1および第2位相シフトマスク10A、10Bに照射する。第1および第2位相シフトマスク10A、10Bには、複数の遮光部とその複数の遮光部によって挟まれ、透過露光光の位相を交互にそれぞれ反転させる複数の帯状の光透過部とが形成されている。透過干渉合成された露光光78をフォトレジスト上に照射する。

請求項（抜粋）：

光源から露光光を発する手段と、前記露光光を第1露光光と第2露光光とに分光する手段と、前記第1露光光を第1位相シフトマスクに照射する手段と、前記第2露光光を第2位相シフトマスクに照射する手段と、前記第1位相シフトマスクを透過した第1透過光と、前記第2位相シフトマスクを透過した第2透過光とを干渉させ干渉透過光を合成する手段と、前記干渉透過光を半導体基板上に形成された被エッチング膜上のフォトレジストに照射する手段とを備え、前記第1位相シフトマスクは、間隔をおいて第1の方向に延びる複数の第1帯状透過領域と、前記複数の第1帯状透過領域のそれぞれによって挟まれた複数の第1帯状遮光領域とを含み、前記複数の第1帯状透過領域においては、透過した第1位相非シフト透過光の位相を変化させない位相非シフト透過領域と、透過した第1位相シフト透過光の位相を前記第1位相非シフト透過光の位相と異ならせる位相シフト透過領域とが交互に繰返して設けられており、前記第2位相シフトマスクは、間隔をおいて前記第1の方向と交差する第2の方向に延びる複数の第2帯状透過領域と、前記複数の第2帯状透過領域のそれぞれによって挟まれた複数の第2帯状遮光領域とを含み、前記複数の第2帯状透過領域においては、透過した第2位相非シフト透過光の位相を変化させない位相非シフト透過領域と、透過した第2位相シフト透過光の位相を前記第2位相非シフト透過光の位相と異ならせる位相シフト透過領域とが交互に繰返して設けられている、露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (6件)：

H01L 21/30 515 D , G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 515 F , H01L 21/30 528

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