半導体圧力センサおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-307519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133817
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】両半導体基板を貼り合わせることで基準圧力室を形成してなる半導体圧力センサにおいて、両基板を接合するための熱処理工程の際に接合界面から発生するガスによって、基準圧力室内の圧力が不均一となるのを防止する。【解決手段】半導体圧力センサ100は、一面側にキャビティ3を形成した第1の半導体基板1に対して、キャビティ3を覆うように第1の半導体基板1の一面に第2の半導体基板2を貼り合わせ、熱処理を行って接合することにより、キャビティ3と第2の半導体基板2とにより基準圧力室を形成してなる。さらに、両基板1、2の接合界面におけるキャビティ3の周囲には、前記熱処理の際に接合界面から発生するガスをトラップするためのトラップ室5がキャビティ3を取り囲むように配設されている。

請求項（抜粋）：

一面側にキャビティ(3)を形成した第1の半導体基板(1)に対して、前記キャビティを覆うように前記第1の半導体基板の前記一面に第2の半導体基板(2)を貼り合わせ、熱処理を行って接合することにより、前記キャビティと前記第2の半導体基板とにより基準圧力室を形成してなる半導体圧力センサにおいて、前記両半導体基板の接合界面における前記キャビティの周囲には、前記熱処理の際に前記接合界面から発生するガスをトラップするためのトラップ室(5、50、51)が配設されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 29/84 Z , G01L 9/04 101 , H01L 21/02 B

Fターム (19件)：

2F055AA40 , 2F055BB01 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF11 , 2F055FF43 , 2F055GG01 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA16 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA18 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112FA11

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-129528
特開平1-239881

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