光励起堆積プロセス中にシリコン含有材料を形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-518299
公開番号（公開出願番号）：特表2009-516906
出願日： 2006年06月20日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

本発明の実施形態は、一般的に、光励起プロセス中にUV源を用いて、膜を堆積する方法を提供する。該膜は、基板上に堆積され、シリコン(例えば、エピタキシ、結晶性、微晶質、ポリシリコンまたは非晶質)、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素または他のシリコン含有材料等の材料を含む。該光励起プロセスは、該堆積プロセスの前、間または後に、該基板および/またはガスをエネルギビームまたはエネルギ束に曝すことができる。そのため、該光励起プロセスは、該基板または材料を前処理または後処理するのに、該シリコン含有材料を堆積するのに、およびチャンバ洗浄プロセスを強化するのに用いることができる。該UV光励起プロセスによって強化される該方法の属性は、堆積前に、自然酸化物を除去することと、堆積した膜から揮発性物質を除去することと、該堆積した膜の表面エネルギを増加させることと、前駆物質の励起エネルギを増加させることと、堆積時間を短縮することと、堆積温度を下げることとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン材料を基板上に形成する方法であって、プロセスチャンバ内で基板を位置決めするステップと、アミノシラン前駆物質、酸素前駆物質および窒素前駆物質を備える堆積ガスに前記基板を曝すステップと、前記プロセスチャンバ内で、UV源から導出されるエネルギビームに前記堆積ガスを曝すステップと、シリコン含有材料を前記基板上に堆積するステップであって、前記シリコン含有材料が非晶質であり、酸素および窒素を備える、ステップと、を備える方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/205 , C23C 16/42 , C23C 16/48

FI (4件)：

H01L21/31 B , H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/48

Fターム (26件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030DA08 , 4K030DA09 , 4K030FA08 , 4K030KA24 , 5F045AA11 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC07 , 5F045EB06 , 5F045EB13 , 5F045EE08

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