特許
J-GLOBAL ID：200903040604898142

露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法

発明者：
藤澤 忠仁

藤澤 忠仁 について

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井上 壮一

井上 壮一 について

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川野 健二

川野 健二 について

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伊藤 信一

伊藤 信一 について

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森 一朗

森 一朗 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274702
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102282
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】プロセスの変動要因により生じるマージンの減少を抑える。【解決手段】マスクには、ウェハ上での実効的な露光量とフォーカスをそれぞれ別々に分離してモニタするための露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークが配置され、前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写し、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンを形成する工程と(ステップS4)、現像後に露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンの状態を測定する工程と(ステップS8)、測定結果に基づいて最適な露光量値と前記露光装置に設定された露光量設定値との差、並びに最適なフォーカス値と該露光装置に設定されたフォーカス設定値との差を算出し、算出された差に応じて露光装置のフォーカス設定値及び露光量設定値を変更する工程する工程(ステップS9)とを含む。
請求項（抜粋）：
露光装置によりマスク上の回路パターンをウェハに形成されたレジストに転写する際の露光量及びフォーカスの設定を行う露光装置の制御方法において、前記マスクには、ウェハ上での実効的な露光量とフォーカスをそれぞれ別々に分離してモニタするための露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークが配置され、前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写し、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンを形成する工程と、露光後、或いは露光後の加熱後、加熱後の冷却工程中または冷却終了後の工程、現像中、或いは現像後の少なくともどこか1ヶ所において、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンの状態を測定する計測工程と、測定結果に基づいて、前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写する際の最適な露光量値と前記露光装置に設定された露光量設定値との差、並びに最適なフォーカス値と該露光装置に設定されたフォーカス設定値との差を算出する演算工程と、算出された差に応じて露光装置のフォーカス設定値及び露光量設定値を変更する工程とを含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/207
FI (3件)：
G03F 7/207 H ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/30 526 Z
Fターム (11件)：
5F046AA17 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F046DA29 ,  5F046DD06 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046EB02 ,  5F046EC05
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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