特許
J-GLOBAL ID：200903040605313652
共鳴キャビティを有する光ディテクタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101639
公開番号（公開出願番号）：特開平6-323900
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 所望の波長に対してのみ共鳴キャビティを有する光検知器を提供する。【構成】 本発明の共鳴キャビティp-i-n(RC-PIN)光ディテクタは、市販の光ディテクタの集光面に電子ビーム堆積した屈折率の異なる非エピタキシャルのアモルファス層を有するファブリペローキャビティを透過、あるいは、反射することに基づいている。このファブリペローキャビティの材料は、広範囲の屈折率を有する材料から、そして、好ましくはアモルファス状態で堆積されるような材料から選択される。この材料の組み合わせは、キャビティモードと共鳴する波長のみが検知できるようにする。RC-PINのマイクロキャビティは既存の如何なるディテクタ構造の上にも電子ビーム蒸着により半導体の成長を修正せずに堆積することができる。このような光ディテクタは、波長分離化(demultiplexing)に対しては有効である。
請求項（抜粋）：
基板(12)と、光吸収領域(13)と、前記基板と光吸収領域に接続された電極(14、15)とを有する光ダイオードとを有する光ディテクタ(10)において、前記光ダイオードは、集光表面を有し、前記集光表面上にファブリペローキャビティ(16)が形成され、前記ファブリペローキャビティは、前記集光表面から昇順に複数の周期からなる底部分散型ブラグリフレクタミラー(17)と、活性領域(18)と、複数の周期からなる上部分散型ブラグリフレクタミラー(19)とを有し、各周期は、高屈折率材料層(20)と低屈折率材料層(22)とからなり、一周期の高屈折率材料層は、前記ミラーの他の周期の低屈折率材料層に隣接し、前記ミラー内の前記層は、λ/4の厚さを有し、前記活性領域(18)は、光吸収領域に隣接する層の屈折率とは異なる屈折率を有し、その厚さはλ/2であることを特徴とする共鳴キャビティを有する光ディテクタ。
IPC (2件)：
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