特許

J-GLOBAL ID：200903040609656325

シリコンの精製方法およびその精製装置

発明者： 和田 健司 ,  福山 稔章 ,  早川 尚志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043574
公開番号（公開出願番号）：特開2003-238139
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：

【要約】【課題】 ボロンや炭素などの不純物を含有するシリコンを効率よく、安価に精製し、太陽電池用の純度6-nine程度のシリコンを得る方法および装置を提供する。【解決手段】 本発明のシリコンの精製方法は、溶融シリコンから不純物を除去するシリコンの精製方法であって、溶融シリコンを保持する複数の容器を精製装置の処理室内に配置する工程と、溶融シリコンの表面に酸化性ガスを導入する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

溶融シリコンから不純物を除去するシリコンの精製方法であって、前記溶融シリコンを保持する複数の容器を精製装置の処理室内に配置する工程と、前記溶融シリコンの表面に酸化性ガスを導入する工程と、を含むことを特徴とするシリコンの精製方法。

Fターム (8件)：

4G072AA01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072MM08 ,  4G072UU02