リフロー半田付け方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武田元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314978
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170063
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】基板及び半田の酸化を防止し、半田濡れ性を向上させ、フラックス残渣量を低減することのできるリフロー半田付け方法を提供する。【構成】真空容器1には窒素ガスボンベ2が接続され、内部は予備加熱時で酸素濃度500ppm以下の窒素ガス雰囲気に維持される。気密性の高いシャッタ3を通して、ペースト状半田6が印刷され電子部品が搭載された基板4が搬入され、窒素ガスバルブ5が閉じられる。キセノンランプ7からの光エネルギーを光学系8で集光し、基板4上のペースト状半田6を本加熱する。ペースト状半田6が溶融して十分濡れ広がり半田付けが完了後、真空ポンプ9で雰囲気圧を10~1Torrまで減圧することでフラックス残渣は気化して基板4の表面から除去される。

請求項（抜粋）：

リフロー半田付けの本加熱において、加熱源として光エネルギーを用い、雰囲気を不活性ガスとし、半田温度が融点以上に達した時点で減圧を行い半田溶融以前よりも低い雰囲気圧で半田付けを行うことを特徴とするリフロー半田付け方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 507 , B23K 1/005 , B23K 31/02 310

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