特許

J-GLOBAL ID：200903040617136373

半導体集積回路

発明者： 山田 資隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232185
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084913
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路における上層と下層の隣接平行配線のクロストーク(漏話)を防止する。【構成】 3層配線構造に構成されている場合、第2層により第1層と第3層とを接続する開口部を除き全面を覆い、第2層を電源あるいは接地電位として第1層と第2層の信号をシールドする。【効果】 ノイズの発生をなくし、このノイズに起因する誤動作を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に第一層から第n層(nは3以上の自然数)までの金属配線が階層構造で配置された半導体集積回路において、前記金属配線のうちの少なくとも1層以上の層がその上層およびその下層の接続部を導入する開口部を除き前記基板のほぼ全面を覆う構造であり、当該層が電源あるいは接地電位に接続されたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/82 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-298745
  
• 特開平4-179126
  
• 特開昭60-187038