特許

J-GLOBAL ID：200903040620602202

化合物半導体膜の形成方法

発明者： 井上 利一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271499
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109633
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 ヘテロ成長の成膜方法に関し,表面平坦度の向上を目的とする。【構成】 半導体基板上に該基板上と格子定数の異なる III-V族化合物半導体薄膜を成長する際に,所望のキャリア濃度を得るための成長条件が成長温度T0 ,III族ガス流量 III0 ,V族ガス流量V0 とし,成長温度をT1 , III族ガス流量を III1 ,V族ガス流量をV1 で成長する第1条件と,成長温度をT2 , III族ガス流量を III2 ,V族ガス流量をV2 で成長する第2条件とが次の関係T0 >T1 ,T0 >T2 .V1 / III1 >V0 / III0 >V2 / III2 .を有し,且つ前記第1条件および第2条件の何れか一方もしくは2つの条件を交互に用いて成長するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に該基板上と格子定数の異なる III-V族化合物半導体薄膜を成長する際に,所望のキャリア濃度を得るための成長条件が成長温度T0 ,III族ガス流量 III0 ,V族ガス流量V0 とし,成長温度をT1 , III族ガス流量を III1 ,V族ガス流量をV1 で成長する第1条件と,成長温度をT2 , III族ガス流量を III2 ,V族ガス流量をV2 で成長する第2条件とが次の関係T0 >T1 ,T0 >T2 .V1 / III1 >V0 / III0 >V2 / III2 .を有し,且つ前記第1条件および第2条件の何れか一方もしくは2つの条件を交互に用いて成長することを特徴とする化合物半導体膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14