特許
J-GLOBAL ID：200903040620658267
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014799
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 より高性能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板1にチャネルストッパ層5を形成し、LOCOS酸化膜6およびゲート酸化膜7を形成する。次にSi+ あるいはGe+ のイオン注入によりシリコン基板1の結晶性を改質させる。その際、改質はイオン注入のチャネリング条件を変えることにより、自由に設定できる。そして、基板表面から深い位置に高損傷領域13bを形成し、浅い位置に低損傷領域13aを形成する。次に、高損傷領域13bに損傷領域にB+ をイオン注入してパンチスルーストッパ層14を形成する。次に、ゲート電極8を形成し、その後、低損傷領域13aにソース/ドレイン領域9,電界緩和層15を形成する。その後、絶縁膜層10を形成し、ソース/ドレインの配線層12を形成し、パッシベーション膜を形成してN-MOSトランジスタとなる。
請求項（抜粋）：
イオン注入法を用いて半導体基板中に不純物を導入する工程を含む半導体装置の製造方法において、該半導体基板表面より深い領域に損傷層を形成する工程と、前記半導体基板に対しチャネリングが生じる角度条件で不純物イオンを注入する工程と、注入分布微調整用の該不純物イオンの入射角度を変化させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 27/092
