特許
J-GLOBAL ID：200903040624324606
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊池 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281881
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102418
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 低欠陥密度,低リーク電流の非常に薄いキャパシタ絶縁膜を容易に形成でき、セル容量の増加が期待できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上にゲート電極3とソース・ドレイン4形成後、全面にSiO2 膜5を形成して、セルコンタクト5aを形成し、ストレージ電極6とキャバシタ絶縁膜となるシリコン窒化膜7を順次形成して高温でアニールした後、シリコン窒化膜の表面を水蒸気雰囲気中で酸化し、その上面にセルプレート電極8を形成し、全面にBPSG9を成長させ、その上面にアルミ10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上のポリシリコン上に、ストレージ電極形成後キャパシタ絶縁膜となるシリコン窒化膜を形成する工程と、1000°C以上1100°C未満の高温、不活性ガス中でアニールする工程と、水蒸気雰囲気中で酸化する工程と、よりなる半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/318
, H01L 27/04
