電極構造体の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218324
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274391
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。【解決手段】半導体基板10上に、ゲート絶縁膜11を介して、ポリシリコン膜12、チタン膜14、窒化チタン膜15A及びタングステン膜18を堆積して、これらの積層膜からなる電極構造体を形成した後、該電極構造体に対して750°C以上の熱処理を施す。このようにすると、窒化チタン膜15A中の窒素がチタン膜14及びポリシリコン膜12に拡散して、チタン膜14は窒化チタン膜に変化すると共に、ポリシリコン膜12と窒化チタン膜15Bとの界面に、窒化シリコンからなり厚さの小さい反応層19が形成される。

請求項（抜粋）：

シリコンを主成分とするシリコン含有膜の上に、第1の金属からなる第1の金属膜を堆積する工程と、前記第1の金属膜の上に、第2の金属の窒化物からなる第2の金属膜を堆積する工程と、前記第2の金属膜の上に高融点金属膜を堆積して、前記シリコン含有膜、前記第1の金属膜、前記第2の金属膜及び前記高融点金属膜からなる電極構造体を形成する工程と、前記電極構造体に対して750°C以上の温度で熱処理を施す工程とを備え、前記第1の金属膜は、前記熱処理の後に、前記第1の金属が窒化されて前記第1の金属の窒化物に変化していると共に前記シリコン含有膜の表面に前記第1の金属のシリサイド層が形成されていないような膜厚を有していることを特徴とする電極構造体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/285 S , H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

Fターム (24件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104DD86 , 4M104EE08 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104HH16 , 5F040DA01 , 5F040DC01 , 5F040EC02 , 5F040EC07 , 5F040EC12 , 5F040EF02 , 5F040FA07 , 5F040FB02

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