特許

J-GLOBAL ID：200903040629568643

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 大澤 浩幸 ,  石田 純一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-022721
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235474
出願日： 2003年01月30日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】ウエハ支持部材のエキスパンド時における押えリングをリング面に対して均一に下降できるようにする。【解決手段】押えリング53の下面に、磁石吸着面53aを設ける。押えリング53の下方に、電磁石56を配置する。電磁石56を励磁して、磁石吸着面53aに磁力を及ぼして押えリング53を下降させる。磁力を用いることにより、吸引力を押えリング53の面に作用させることができ、押えリング53の特定箇所に力点を置いて下方に押し付ける構成とは異なり、ウエハ支持部材31のエキスパンド時の押えリング53の傾斜、歪み等を防止することができる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

ダイシング後の半導体チップを有するウエハを載せたウエハ支持部材を引き伸ばして、前記半導体チップの個片化を行うエキスパンド工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記ウエハ支持部材の引き伸ばしを、前記ウエハ支持部材の周囲を保持するウエハリングを前記ウエハ支持部材のウエハ載置面より下方に磁力を用いて位置させることにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (1件)：

H01L21/78 X