特許

J-GLOBAL ID：200903040631605076

超電導体の製造方法

発明者： 小山 央二 ,  芝山 宗昭
出願人/特許権者： 株式会社四国総合研究所 ,  四国電力株式会社
代理人 (1件)： 西脇 民雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-087695
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 超電導体としてピンニング力を発生する結晶学的な微細複合構造を実現することができ、しかも、高品質の単結晶を低コストで製造することができる超電導体の製造方法を提供する。【構成】本発明の超電導体の製造方法は、Y-Ba-Cu-O系酸化物からなる超電導体を生成するための原料粉を高温に加熱して溶融させ、この溶融した材料を冷却して凝固させ、凝固した材料を粉砕し、粉砕された材料を撹拌混合して成形体5を形成し、成形体5を1100°C以上に加熱した後、成形体5の下面をセッター3に接触させ、セッター3の伝熱冷却により成形体5の下面中心部5a ́と下面周辺部5a′′との間の温度差を5°Cないし30°Cに保ちつつ徐冷することにより、成形体5の下半分に優先的に単結晶6を成長させる。

請求項（抜粋）：

Y-Ba-Cu-O系酸化物からなる超電導体を生成するための原料粉を高温に加熱して溶融させ、この溶融した材料を冷却して凝固させ、凝固した材料を粉砕し、粉砕された材料を撹拌混合して成形体を形成し、該成形体を1100°C以上に加熱した後、徐冷してY-Ba-Cu-O系酸化物からなる超電導体を製造する超電導体の製造方法において、前記成形体の下面を温度勾配形成用治具に接触させ、該温度勾配形成用治具の伝熱冷却により前記成形体の下面中心部と下面周辺部との間の温度差を5°Cないし30°Cに保ちつつ徐冷することにより、前記成形体の下半分に優先的に単結晶を成長させる超電導体の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 1/06 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565