特許

J-GLOBAL ID：200903040631713014

化合物半導体基板の製造方法

発明者： 青野 重雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275352
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102303
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 結晶性が劣化したり、成長時間が長くなるという従来方法の問題点を解消した化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 Si(100)単結晶基板1′上に第1の化合物半導体層3とマスクを形成し、このマスクに幅L1=5〜10μmで間隔L2=5〜10μmの透孔部を前記Si(100)単結晶基板の[011]方向に対して15°〜45°の傾きをもって形成し、次いで第1のマスク4の透孔部からマスク上にかけて、第2の化合物半導体層5、およびキャップ層を形成し、次いで前記第1のマスク上の前記第2の化合物半導体層、およびキャップ層に、幅L3が前記間隔L2より小さく、間隔L4が前記幅L1より大きいスリットを形成して前記第1のマスクを露出させ、次いで前記化合物半導体層を酸化した後に前記キャップ層を除去し、次いで前記第2の化合物半導体層のスリット内に第3の化合物半導体層8を形成する化合物半導体基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

Si(100)単結晶基板上に形成したマスクの透孔部からマスク上にかけて化合物半導体層をヘテロエピタキシャル成長させる化合物半導体基板の製造方法において、前記Si(100)単結晶基板上に第1の化合物半導体層と厚さ0.1〜1.0μmのマスクを形成し、このマスクに幅L1=5〜10μmで間隔L2=5〜10μmの透孔部を前記Si(100)単結晶基板の[011]方向に対して15°〜45°の傾きをもって形成し、次いで前記第1のマスクの透孔部からマスク上にかけて、厚さ1.0μm以上の第2の化合物半導体層、厚さ0.05μm〜0.1μmのAlXGa1-XAs(0.9≦X≦1)層、および厚さ0.005μm〜0.01μmのキャップ層を形成し、次いで前記第1のマスク上の前記第2の化合物半導体層、AlXGa1-XAs(0.9≦X≦1)層、およびキャップ層に、幅L3が前記間隔L2より小さく、間隔L4が前記幅L1より大きいスリットを形成して前記第1のマスクを露出させ、次いで前記AlXGa1-XAs(0.9≦X≦1)層を酸化した後に前記キャップ層を除去し、次いで前記第2の化合物半導体層のスリット内に第3の化合物半導体層を形成することを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045EB13 ,  5F045HA14 ,  5F052KA05