薄膜トランジスタマトリックス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310691
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163586
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタマトリックス及びその製造方法に関し,ゲートバスラインとドレインバスラインの交差部の段差を小さくし,かつゲート絶縁膜の絶縁破壊を防ぐ。【構成】透明絶縁性基板1上に順に積層されたゲート電極5a, 6a, ゲート絶縁膜7, 動作半導体膜8, ソース・ドレイン電極11a, 11bと, ゲート電極5a, 6a間を接続するゲートバスライン5b, 6bと, ドレイン電極11b 間を接続するドレインバスライン13を有する薄膜トランジスタマトリックスであって, 透明絶縁性基板1はゲート電極5a, 6a及びゲートバスライン5b, 6bに対応する凹部を有し, 凹部にゲート電極5a, 6a及びゲートバスライン5b, 6bが形成されている薄膜トランジスタマトリックスである。また,ゲート電極5a, 6a及びゲートバスライン5b, 6bは順に積層された第1の導電体層5a, 5bと第2の導電体層6a, 6bからなり,第1の導電体層5a, 5bはアルミニウム,第2の導電体層6a, 6bは高融点金属であり,第1の導電体層5a, 5bはゲート絶縁膜7に非接触である。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板(1) 上に順に積層されたゲート電極(5a, 6a), ゲート絶縁膜(7) , 動作半導体膜(8) , ソース・ドレイン電極(11a, 11b)と,該ゲート電極(5a, 6a)間を接続するゲートバスライン(5b, 6b)と, ドレイン電極(11b) 間を接続するドレインバスライン(13)を有する薄膜トランジスタマトリックスであって,該透明絶縁性基板(1) は該ゲート電極(5a, 6a)及び該ゲートバスライン(5b,6b) に対応する凹部(3) を有し, 該凹部(3) に該ゲート電極(5a, 6a)及び該ゲートバスライン(5b, 6b)が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタマトリックス。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 G

前のページに戻る