特許

J-GLOBAL ID：200903040641766973

太陽電池素子およびその製造方法およびその太陽電池素子を用いた太陽電池モジュール

発明者： 谷本 智 ,  府川 祐子
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037068
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247596
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】鉛を含有しない被覆材を使用して長期信頼性を確保できるとともに、外観上も好ましいものとする。【解決手段】半導体基板1の表面に電極5、6を有する太陽電池素子であって、上記電極5、6の表面が切開部9を有する被覆層7で被覆され、この切開部9にに銀を含有する半田で被覆されたインナーリードを接続する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極の表面が切開部を有する被覆層で被覆されていることを特徴とする太陽電池素子。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (16件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA18 ,  5F051CB03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051EA09 ,  5F051EA11 ,  5F051FA06 ,  5F051FA08 ,  5F051FA16 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04 ,  5F051HA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-161266   出願人：京セラ株式会社
• 特表平7-501184