特許
J-GLOBAL ID：200903040643930207
半導体製造装置のウェハクランプ機構
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡▲崎▼ 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086131
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254985
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、一つの駆動機構により、シリコンウェハ等のウェハを、その表面を下向きの状態で全周クランプする、簡単な構成で、且つ低コストで製造され得る、半導体製造装置のウェハクランプ機構を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウェハ等のウェハ3を、表面を下向きにした状態で、搬送し且つ処理する半導体製造装置10において、ウェハを支持するウェハクランプ機構11が、ウェハの全周を覆うように配設された、二つ以上の部分に分割されたクランプ13,14を含んでおり、各クランプのうち、第一のクランプ13が、ウェハクランプ機構全体を支持する支柱11aに対して固定的に取り付けられており、また第二のクランプ14が、ウェハ搬送アーム12上に着脱可能に載置されるように、半導体製造装置のウェハクランプ機構11を構成する。
請求項（抜粋）：
被処理物であるウェハを、表面を下向きにした状態で、搬送し且つ処理する半導体製造装置において、上記ウェハを支持するウェハクランプ機構が、ウェハの全周を覆うように配設された、二つ以上の部分に分割されたクランプを含んでいることを特徴とする、半導体製造装置のウェハクランプ機構。
IPC (3件)：
C30B 25/12
, C23C 16/44
, H01L 21/68
