特許

J-GLOBAL ID：200903040649232455

素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子および該半導体素子の製造方法

発明者： 山下 敏 ,  川原田 洋 ,  伊藤 正宏 ,  中村 直文
出願人/特許権者： 東京瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 沼形 義彰 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064035
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139109
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 水素終端ダイヤモンド半導体の素子間絶縁分離を提供する。【構成】 表面を水素原子で終端した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド1の表面に金からなるドレインオーミックコンタクト3と、ソースオーミックコンタクト4と、アルミニウムからなるゲート電極5を形成するとともに、素子形成領域以外の表面を酸素終端などの非水素終端させた絶縁領域11とからなる水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたMESFET。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドの表面を水素終端した領域とダイヤモンド表面を非水素終端させた絶縁領域とを有し、水素終端した領域に半導体素子を設けたことを特徴とする素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/76 Z