特許

J-GLOBAL ID：200903040649576812

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 大坪 徹 ,  田中 潤一 ,  増田 俊夫 ,  加治 哲徳 ,  渡辺 克哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066096
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261497
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は発生したプラズマ中に電磁波を進行させ、電磁波の電界によりプラズマ中の電子のエネルギレベルをプラズマ発生とは独立に制御することにより、目的とする活性種を目的とする量生成することでより高性能なプラズマ処理を実現するものである。1)高選択エッチングと高精度、高速エッチングの両立2)膜質と高速成膜の両立3)上記プロセスを両立する基本課題はプラズマ中の電子エネルギレベルの独立制御【解決手段】1)発生したプラズマ中に電磁波を進行させることにより、電磁波の電界によりプラズマ中の電子にエネルギを与え制御する。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生させ試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、プラズマ発生手段と発生したプラズマ中に進行しうる電磁波を放射する手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B