特許

J-GLOBAL ID：200903040650001866

静電気保護用半導体装置

発明者： 大川 和彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109202
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291836
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 より微細化が可能となる静電気保護用半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の静電気保護用半導体装置は、P型不純物拡散層90およびN型不純物拡散層20を含むP型ウエル11と、P型ウエル11に形成され、P型不純物拡散層30およびN型不純物拡散層40を含むN型ウエル13とを含む。さらに、P型不純物拡散層30、N型ウエル13、およびP型ウエル11から第1バイポーラトランジスタ210が構成され、N型不純物拡散層20、P型ウエル11、およびN型ウエル13から第2バイポーラトランジスタ220が構成され、N型不純物拡散層50と、N型不純物拡散層50の底面に形成されたP型不純物拡散層60とからツェナーダイオード230が構成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1不純物拡散層と、該第1不純物拡散層と電気的に分離される第2導電型の第2不純物拡散層とを含む第1導電型の第1領域と、第1導電型の第3不純物拡散層と、該第3不純物拡散層と電気的に分離される第2導電型の第4不純物拡散層とを含む第2導電型の第2領域と、前記第3不純物拡散層をエミッタ領域とし、前記第2領域をベース領域とし、前記第1領域をコレクタ領域とする第1バイポーラトランジスタと、前記第2不純物拡散層をエミッタ領域とし、前記第1領域をベース領域とし、前記第2領域をコレクタ領域とする第2バイポーラトランジスタと、第2導電型の第5不純物拡散層と、前記第1領域と連続し、前記第5不純物拡散層の底面と接合する第1導電型の第6不純物拡散層とによって構成されるツェナーダイオードと、を含む、静電気保護用半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 101 P ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 29/74 F

Fターム (40件)：

5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AF01 ,  5F005CA02 ,  5F005GA01 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG14 ,  5F048CC00 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC10 ,  5F048CC11 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC19 ,  5F082AA33 ,  5F082BA05 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC20 ,  5F082DA02 ,  5F082DA09 ,  5F082FA17