特許
J-GLOBAL ID:200903040650511252

積層型バリスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-088782
公開番号(公開出願番号):特開平8-330107
出願日: 1996年03月18日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【目的】 積層型バリスタの容量を高くし、しかも耐サージ性を改善する。【構成】 セラミックス層と内部電極層とが交互に積層された構成のバリスタチップ体を有し、セラミックス層が、Tiおよび/またはZrと、Baとを含む複合酸化物を主成分とし、Siおよび/またはAlを副成分として含有し、Crを実質的に含有せず、ペロブスカイト相を含み、内部電極層に含まれる導電材が卑金属を主成分とし、回路中においてノイズを抑制する積層型バリスタ。セラミック層がCrを実質的に含まないため、耐サージ性が良好である。このため、特に自動車の電気回路などのように強烈なサージが発生しやすい用途でのノイズ吸収素子に好適である。
請求項(抜粋):
セラミックス層と内部電極層とが交互に積層された構成のバリスタチップ体を有し、セラミックス層が、Tiおよび/またはZrと、Baとを含む複合酸化物を主成分とし、Siおよび/またはAlを副成分として含有し、Crを実質的に含有せず、ペロブスカイト相を含み、内部電極層に含まれる導電材が卑金属を主成分とし、回路中においてノイズを抑制する積層型バリスタ。
IPC (4件):
H01C 7/10 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/49 ,  H01C 7/18
FI (4件):
H01C 7/10 ,  H01C 7/18 ,  C04B 35/46 C ,  C04B 35/49 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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