特許
J-GLOBAL ID:200903040654404469

基板電位発生回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-119985
公開番号(公開出願番号):特開平6-195971
出願日: 1993年05月21日
公開日(公表日): 1994年07月15日
要約:
【要約】【目的】 より低い基板電位を発生できる基板電位発生回路を提供する。【構成】 基板電位発生回路はクロック信号発生回路130と第1及び第2のチャージポンプ回路143,140を備える。第1のチャージポンプ回路143は半導体基板に接続されたソース電極を持つpチャネルMOSトランジスタ143hを備え、ドレイン電極へキャパシタ143bの容量結合により-k2 VCCを与える。第2のチャージポンプ回路140は第1及び第2の副チャージポンプ回路141,142を備え、ドレイン電極へ-k2 VCCが与えられているとき、ゲート電極へ-k1 VCC+Vth4 を与えた後、その電位をさらに低下させることにより-(k1 +k3 )VCC+Vth4 を与える。これにより基板電位VBBがそのドレイン電極へ与えられる-k2 VCCと等しい電位になるまでpチャネルMOSトランジスタ143hがオンにされ、基板電位VBBが-k2 VCCまで低下される。
請求項(抜粋):
半導体基板へ所定電位を与えるための基板電位発生回路であって、前記半導体基板に接続される一方導通端子を持つスイッチ手段を含み、かつ前記スイッチ手段の他方導通端子へ所定電位を与えるための第1のチャージポンプ手段と、前記スイッチ手段の他方導通端子へ所定電位が与えられている期間のうち全部または一部の期間、前記スイッチ手段をオンにし、それらの導通端子を導通させるための第2のチャージポンプ手段とを含む、基板電位発生回路。
IPC (3件):
G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H03K 19/094
FI (3件):
G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 C ,  H03K 19/094 D

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