特許

J-GLOBAL ID：200903040657025760

光学材料

発明者： マグナス バーググレン ,  マナンス ドダバラパー ,  マイケル ルイス ステイジャーワルド
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-223701
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 高周波数及び広範囲波長で動作できる電子光学的変調器で使用できる高ピーク吸光度差及び高ピーク屈折率差変化を示す優れた結晶物質を提供する。【解決手段】 III-V,II-VI又はIV半導体微小結晶からなる結晶物質をポリマー材料中に埋封することにより、高ピーク吸光度差又は高ピーク屈折率差を示す光学材料が得られる。結晶物質は、直径が5.8nm未満、好ましくは、直径が約4nm未満のサイズを有するCdSe結晶であり、ポリ(ビニルピリジン)に埋封される。2個の電極間に挟装された結晶物質は光変調器を画成する。10%の結晶がポリマー中に埋封された結晶物質は100Vの印加電圧により、約610nmの波長において、約50cm-1の吸光度差スペクトル(ΔA)と、約625nmの波長において、約10-4の屈折率差(Δn)を示す。

請求項（抜粋）：

ポリマー中に埋封された半導体ナノ結晶からなる、電気通信システムの導波路変調器で使用するための光学材料において、前記ナノ結晶は、固体の結晶性高分子光学材料を提供するために、周期律表の第III-V,II-VI及びIV族の半導体ナノ結晶からなる群から選択されることを特徴とする光学材料。

IPC (3件)：

G02B 1/02 ,  G02B 6/00 ,  G02B 6/122

FI (3件)：

G02B 1/02 ,  G02B 6/00 C ,  G02B 6/12 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体超微粒子分散型非線形光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-084413   出願人：三井東圧化学株式会社