特許

J-GLOBAL ID：200903040663654591

コンタクト形成方法

発明者： 坂本 弘美
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326711
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183250
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板1のN+シリコン層2上にシリコンナイトライド膜4を形成した後、NSG膜5及びBPSG膜6を形成し、コンタクトホール7を形成する。次に、コンタクトホール7底部のシリコン基板1上の自然酸化膜を除去し、バリアメタル8を形成した後、タングステン9を埋め込み、コンタクトを形成する。【効果】 低ジャンクションリークで良好な特性を有する、高アスペクト比のコンタクトを形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリコンナイトライド膜を形成した後、層間絶縁膜を形成し、上記コンタクトホ-ルを形成する工程と、上記コンタクトホール内の上記半導体基板表面の自然酸化膜を除去し、バリアメタル層を形成した後、高融点金属を上記コンタクトホールに埋め込むことを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 D