特許
J-GLOBAL ID:200903040668507899
多層電場発光デバイス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-283364
公開番号(公開出願番号):特開2003-133076
出願日: 2002年09月27日
公開日(公表日): 2003年05月09日
要約:
【要約】【課題】 高輝度多層電場発光デバイスを提供すること。【解決手段】 カソード、アノード、発光層、及び該カソードと該アノードとの間に配置された下式(1)で表されるナフタレン系化合物を含有する層を含んで成る多層電場発光デバイス。【化1】上式中、mは0、1又は2であり、Raは、各々独立に選ばれた置換基であり、かつ、nは各々独立に0〜3であり、Araは、各々独立に選ばれた芳香族基であり、そしてArbは、各々独立に選ばれた炭素環式芳香族基であるが、但し、2個の環置換基が連結して一つの環を形成していてもよい。
請求項(抜粋):
カソード、アノード、発光層、及び該カソードと該アノードとの間に配置された下式(1)で表されるナフタレン系化合物を含有する層を含んで成る多層電場発光デバイス。【化1】上式中、mは0、1又は2であり、Raは、各々独立に選ばれた置換基であり、かつ、nは各々独立に0〜3であり、Araは、各々独立に選ばれた芳香族基であり、そしてArbは、各々独立に選ばれた炭素環式芳香族基であるが、但し、2個の環置換基が連結して一つの環を形成していてもよい。
IPC (2件):
FI (2件):
H05B 33/22 D
, H05B 33/14 A
Fターム (3件):
3K007AB02
, 3K007CB04
, 3K007DB03
引用特許:
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