特許
J-GLOBAL ID：200903040669890912
光導波路型圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174265
公開番号（公開出願番号）：特開平8-043227
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】本発明は製作が容易で、信頼性向上のための小型化及び大量生産が容易な光導波路型圧力センサを提供することを目的とする。【構成】本発明に係る圧力センサは、光導波路型圧力センサにおいて、シリコン基板1に、半導体プロセス技術により形成した圧力感知部2と、前記シリコン基板1の圧力感知部2上に、半導体のプロセス技術により形成した測定用光導波路3と、前記シリコン基板1の圧力感知部2以外の場所に、半導体のプロセス技術により形成した参照用光導波路4を具備し、前記測定用光導波路3と参照用光導波路4はシリコン系材料で形成し、前記測定用光導波路3は、圧力感知部2の圧力による変形を光信号に変換することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光導波路型圧力センサにおいて、(A)シリコン基板(1)に、半導体プロセス技術により形成した圧力感知部(2)と、(B)前記シリコン基板(1)の圧力感知部(2)上に、半導体のプロセス技術により形成した測定用光導波路(3)と、(C)前記シリコン基板(1)の圧力感知部(2)以外の場所に、半導体のプロセス技術により形成した参照用光導波路(4)を具備し、(D)前記測定用光導波路(3)と参照用光導波路(4)はシリコン系材料で形成し、(E)前記測定用光導波路(3)は、圧力感知部(2)の圧力による変形を光信号に変換することを特徴とする光導波路型圧力センサ。
IPC (2件)：
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