炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243706
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330091
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】ベース領域を部分的に深くしたディープベース層を小さなイオン注入エネルギーで形成する。【解決手段】 n+ 型ソース領域4a、4bを貫通してn- 型炭化珪素エピ層2に達する凹部50、60を形成しておき、n+ 型ソース領域4a、4b及び凹部50を含む、n- 型炭化珪素エピ層2の所定領域にイオン注入を行い、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3bを形成する。このように、凹部50を形成しておくことによって、この凹部50の部分では部分的に深くまでイオン注入が行われ、この深くなった部分をディープベース層30a、30bとすることができる。このため、小さなエネルギーのイオン注入でディープベース層30a、30bを形成することができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に、該半導体層よりも低抵抗な第1導電型のソース領域(4a、4b)を形成する工程と、前記ソース領域を貫通して前記半導体層に達する凹部(50、60)を形成する工程と、前記ソース領域及び前記凹部を含む、前記半導体層の所定領域にイオン注入を行い、前記ソース領域よりも接合深さが深い第2導電型のベース領域(3a、3b、30a、30b)を形成する工程と、前記ソース領域と前記半導体層との間における前記ベース領域上に、ゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を形成すると共に、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板の前記主表面とは反対側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/16 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 B , H01L 29/16 , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 T

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