特許

J-GLOBAL ID：200903040679692841

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 黒田 淳 ,  大鹿 克志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213791
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066167
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 重金属や有機物等のような汚染物に起因して化合物半導体基板上に形成される素子の特性が変動したり劣化したりするのを防止する。【構成】 化合物半導体基板1に対して酸化処理を施した後、その化合物半導体基板1に形成された酸化膜を除去することにより、重金属や有機物等のような汚染物2aを酸化膜と一緒に除去する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板に対して酸化処理を施した後、前記化合物半導体基板に形成された酸化膜を除去する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/306 L ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 B