半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027061
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244364
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】容量誘電体膜としての酸化タンタル膜を薄膜化し、さらにリーク電流の少ない製造方法を提供する。【構成】容量下部電極であるポリシリコン表面の自然酸化膜を除去した後、ランプアニールを用いた急速熱窒化(RTN)処理によりポリシリコン表面を窒化し、酸化タンタル膜を形成する工程と、この酸化タンタルを緻密化処理および窒化処理する工程と、さらには上部電極を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

容量下部電極であるポリシリコン表面の自然酸化膜を除去する工程と、しかる後に、ランプアニールを用いた急速熱窒化(RTN)処理により前記ポリシリコン表面を窒化する工程と、前記窒化されたポリシリコン表面上に酸化タンタル膜を形成する工程と、前記酸化タンタル膜を緻密化処理および窒化処理する工程と、次に前記酸化タンタル膜上に容量上部電極を形成する工程とを有して容量素子を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-359557
特開昭58-131735
特開平2-036559

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