高耐圧半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040185
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236639
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】高集積化に有利な構造を有した高耐圧MOSトランジスタを含む高耐圧半導体装置を提供する。【構成】Pチャネルの高耐圧MOSトランジスタのドレイン領域を構成するPウェル103aaの底部は、Nウェル112に接続している。Nウェル112の不純物濃度は、Nウェル102aaの不純物濃度より高く設定されている。

請求項（抜粋）：

一導電型のシリコン基板の表面の環状をなす第1の領域に設けられた第1の逆導電型ウェルと、前記第1の逆導電型ウェルと同じ接合の深さと同じ不純物濃度とを有して、前記シリコン基板の表面の前記第1の領域から隔離された第2の領域に設けられた第2の逆導電型ウェルと、前記第1の逆導電型ウェルの側面に接続して、前記シリコン基板の表面の前記第1の領域に囲まれた第3の領域に設けられた第1の一導電型ウェルと、前記第1の逆導電型ウェルの側面および前記第2の逆導電型ウェルの側面に接続して、前記シリコン基板の表面の前記第1および第2の領域を取り囲む第4の領域に設けられた第2の一導電型ウェルと、前記第1の一導電型ウェルの底面および前記第1の逆導電型ウェルの少なくとも一部の底面と接続し、該第1の逆導電型ウェルより高い不純物濃度を有して、前記シリコン基板内に設けられた第3の逆導電型ウェルと、前記第3の領域内に設けられた第1の開口部と、前記第1の開口部から所定の間隔を有して該第3の領域から前記第1の領域に延在して設けられた第2の開口部と、前記第2の領域内に設けられた第3の開口部と、前記第4の領域内に設けられた第4の開口部とを有して、前記シリコン基板の表面に設けられたフィールド酸化膜と、前記第1,第2,第3および第4の開口部の前記シリコン基板の表面に設けられたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜を介して前記第2の開口部の一部を覆い,前記第1の開口部と該第2の開口部との間に設けられた前記フィールド酸化膜を介して前記第3の領域の一部を覆う姿態を有して前記第1および第3の領域上に設けられた第1のゲート電極と、前記ゲート酸化膜を介して前記第3の開口部の一部を覆う姿態を有して前記第2の領域上に設けられた第2のゲート電極と、前記ゲート酸化膜を介して前記第4の領域の一部を覆う姿態を有して前記第4の領域上に設けられた第3のゲート電極と、前記前記第1の開口部に自己整合的に前記第1の一導電型ウェルの表面に設けられた第1の一導電型高濃度拡散層と、前記第1の一導電型高濃度拡散層と同じ接合の深さと同じ不純物濃度とを有して、前記第1のゲート電極および前記第2の開口部に自己整合的に前記第1の逆導電型ウェルの表面に設けられた第2の一導電型高濃度拡散層と、前記第1の一導電型高濃度拡散層と同じ接合の深さと同じ不純物濃度とを有して、前記第2のゲート電極および前記第3の開口部に自己整合的に前記第2の逆導電型ウェルの表面に設けられた第3の一導電型高濃度拡散層と、前記第3のゲート電極および前記第4の開口部に自己整合的に前記第2の一導電型ウェルの表面に設けられた逆導電型高濃度拡散層とを有することを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 301 X

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