特許

J-GLOBAL ID：200903040695428844

太陽電池の製造方法

発明者： 佐々木 学 ,  中川 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367250
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196118
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】 光起電力半導体のi型半導体層(i層)とn型半導体層(n層)との界面部分又はn層とその裏面側の電極層との界面部分をテクスチャ構造にした光閉込め効果の高い太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の電極層9上にそれぞれ非晶質又は微結晶のp型半導体層(p層)10,i層11,n層12を積層して光起電力半導体13を形成し、この半導体13上に第2の電極層14を形成して太陽電池を製造する際に、i層11の形成後、このi層11の表面を微粒子(霧粒子15)の浮遊雰囲気にさらしてその表面に微粒子15を付着させ、この粒子15の付着後、i層11の表面をプラズマにさらしてi層11の粒子15の非付着部分をプラズマエッチングし、このエッチングによりi層11とn層12との界面部分Aをテクスチャ構造にする。

請求項（抜粋）：

第1の電極層上にそれぞれ非晶質又は微結晶のp型半導体層,i型半導体層,n型半導体層を積層して光起電力半導体を形成し、前記半導体上に第2の電極層を形成して太陽電池を製造する際に、前記i型半導体層の形成後、前記i型半導体層の表面を微粒子の浮遊雰囲気にさらして前記i型半導体層の表面に前記微粒子を付着させ、前記微粒子の付着後、前記i型半導体層の表面をプラズマにさらして前記i型半導体層の前記微粒子の非付着部分をプラズマエッチングし、前記プラズマエッチングにより前記i型半導体層の表面に微細な凹凸を形成して前記i型半導体層と前記n型半導体層との界面部分をテクスチャ構造にしたことを特徴とする太陽電池の製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (6件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051CA31 ,  5F051DA01 ,  5F051DA04