特許
J-GLOBAL ID：200903040703679991
電子放射素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073993
公開番号（公開出願番号）：特開平6-290703
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】ゲート電極1と離間対向する微小突起状のエミッタ電極22を至近距離に設置することによってエミッタ電極に掛ける負電圧を少なく設定できる電子放射素子を得ることにある。【構成】多数の貫通孔1aを有するゲート電極1と、貫通孔1aと対向する部位に微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを絶縁層2を介して積層した電子放射素子であって、微小突起状のエミッタ電極22の突起先端部22aが貫通孔1aの内周縁部の下側相当部に沿うように複数設けられている電子放射素子及び電子放射素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
多数の貫通孔1aを有するゲート電極1と、貫通孔1aと対向する部位に微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを絶縁層13を介して積層した電子放射素子であって、微小突起状のエミッタ電極22の突起先端部22aが前記貫通孔1aの内周縁部の下側相当部に沿うように複数設けられていることを特徴とする電子放射素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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