特許
J-GLOBAL ID：200903040708402033
非平面露光ビームリトグラフィーを用いて薄膜半導体デバイスを作製する方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046732
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006945
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 露光ビームリトグラフィー技術を用いて半導体デバイス基板の非平面処理を行う方法及び装置を提供する。【構成】 前記基板上に一または複数の半導体材料84の一または複数の層84を取り付ける工程、前記半導体層84にレジストを塗布する工程、前記レジストを硬化させる工程、及び電子ビームのごとき露光ビームを前記基板に向かって指向する工程を有する。次いで、基板は露光ビームと相対的に少なくとも2つの運動の自由度を以て運動させられ、その1つの運動の自由度は前記ビームに概ね垂直な軸線を中心とした基板の回転である。他の運動の自由度は前記軸線に概ね平行な方向に沿っての基板の直線的な運動であり得る。そのような運動によって、前記レジストは予め決定されたパターン状92,96,98にビームに露光される。露光されたレジストは現像され、次いで、露光されたレジストの下の一または複数の層がエッチングされる。次に、残存するレジストが除去され、所望の半導体デバイス80が完成する。以上の工程で構成される。
請求項（抜粋）：
被加工物の一般に非平面状の表面に半導体デバイスパターンをエッチングする方法において、(a) 前記被加工物の表面に対して半導体材料を取り付ける工程と、(b) 前記半導体材料の上に絶縁材料を取り付ける工程と、(c) 前記絶縁材料の上ににレジストを塗布する工程と、(d) 前記レジストを硬化させる工程と、(e) 前記被加工物に向かって露光ビームを指向させる工程と、(f) 前記半導体デバイスパターンを前記レジスト内で該ビームに露光させるため、該ビームに対する相対運動の少なくとも2つの自由度を以て被加工物を運動させる工程と、(g) 前記絶縁材料上の露光されたレジストを現像する工程と、(h) その上に前記露光されたレジストが設けられている絶縁体上の前記パターンをエッチングする工程と、(i) 残存するレジストを前記絶縁材料から除去する工程と、を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/30 541 P
, H01L 29/78 311 Y
