特許
J-GLOBAL ID：200903040709840328
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228440
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086329
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、単結晶金属配線と多結晶金属からなるボンディングパッド等の金属膜領域との接続部でのエレクトロマイグレーション耐性を高めることを目的とする。【構成】 単結晶金属からなる配線10を多結晶金属からなるボンディングパッドを含む金属膜領域30に複数の箇所で接続したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基体の一主面上に絶縁層を有し、該絶縁層上に単結晶金属からなる配線と、多結晶金属からなるボンディングパッドを含む金属膜領域とを有する半導体装置において、前記配線を前記金属膜領域に複数の箇所で接続してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
