半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020292
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213659
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】装置の取り扱い時におけるホログラム素子の破損を防止できる構造を備えた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【構成】ステム1の上面のブロック部に半導体レーザチップ5等を取り付け、下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓3を有したキャップ2の内部に該通過窓3を閉塞するようにしてホログラム素子10を固定し、このキャップ2をブロック部4を収納するようにしてそれの下端部側を前記ステム1上に固定した構造。また、キャップ2の内部に当該通過窓3を閉塞するようにホログラム素子10を取り付けることによって、その通過窓3に窓ガラスを取り付け、かつ、ステム1の上面にホログラム素子10を取り付ける工程を削減する。

請求項（抜粋）：

ステムと前記ステムの上面に形成された少なくとも半導体レーザチップを搭載したブロック部と、下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したものでかつ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前記ステムの上面に固定されたキャップと、前記通過窓を閉塞するように前記キャップの内部に収納されて固定されたホログラム素子と、を具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 23/02 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-313987
特開昭62-141794
特開昭61-080840

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