特許
J-GLOBAL ID：200903040716073758
半導体放射線検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270262
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122772
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、高感度な大面積半導体放射線検出素子を提供することにある。【構成】本検出素子は、p型シリコン基板1に厚さが0.1μm 以上でμmオーダ以下のn型の拡散層2を設け、その上部にSiO2 膜3とSi3N4膜4の表面保護膜、更にその外表面にアルミニウム電極5の蒸着膜を設ける。拡散層2の外側にはp型の拡散層をチャンネルストッパー6として設ける。
請求項（抜粋）：
表面に拡散層を有するSi基板と、該拡散層の表面の一部を覆う多層保護膜と、該多層保護膜の表面及び前記拡散層の表面を覆い該拡散層に電気的に接する電極とを備え、前記多層保護膜は前記Si基板との間に発生する応力歪を緩和し、前記拡散層の厚さが0.1μm 以上でμmオーダ以下であることを特徴とする半導体放射線検出素子。
IPC (2件)：
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