特許
J-GLOBAL ID：200903040716538203
低いフリンジキャパシタンス及び低チャネル抵抗を有するカーボンナノチューブ・トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (22件)：
鈴江 武彦
, 蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-010974
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177580
出願日： 2008年01月21日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】低いフリンジキャパシタンス及び低チャネル抵抗を有するカーボンナノチューブ・トランジスタを提供する。【解決手段】CNTトランジスタは、ソース延出部36a及びドレイン延出部36bを有し、この延出部36a、36bは、電気的に導電性を備え、ソース電極22及びドレイン電極24に電気的に接続される。延出部は夫々ギャップ部分35a、35bを架橋している。ナノチューブ20は半導体の単一ウオール・カーボンナノチューブであり、延出部36a、36bは、ナノチューブ20を同軸的に囲む金属導体ナノチューブから構成される。ナノチューブ20及び延出部36a、36bは、多層ナノチューブからゲート電極の近くの領域において外側のナノチューブを選択的に削除して作られている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
(a) 基板に設けられた導電性のソース電極と、
(b) このソース電極から間隔を空けて前記基板に設けられた導電性のドレイン電極と、
(c) 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に電気的に接続される可変抵抗を有する半導体カーボンナノチューブと、
(d) 前記半導体カーボンナノチューブに近接して設けられ、前記カーボンナノチューブの抵抗を制御する導電性のゲート電極であって、
(1)前記ゲート電極及び前記ソース電極の間に第1ギャップが設けられ、
(2)前記ゲート電極及び前記ドレイン電極の間に第2ギャップが設けられ、
前記半導体カーボンナノチューブが前記第1及び第2ギャップに架け渡されている導電性のゲート電極と、
を備え、前記カーボンナノチューブ・トランジスタが
(e) 前記ソース電極から前記第1ギャップ内に延出され、少なくとも部分的に前記カーボンナノチューブを覆っている導電性のソース拡張部、
(f) 前記ドレイン電極から前記第2ギャップに延出され、少なくとも部分的に前記カーボンナノチューブを覆っている導電性のドレイン拡張部、
の少なくとも1つを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ・トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 618B
, C01B31/02 101F
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 616T
